氮化铝(AlN)是第三代半导体材料的典型代表之一,又是这些材料中的直接带隙中禁带宽度(6.2eV)最宽的一个。氮化铝晶体同时具备了极为优良的光、电、声、机械性质,已经表现出极其广阔的应用前景和难以估量的巨大经济效益。因此AlN晶体的制备非常重要,对于AlN晶体生长炉控制系统的研究也很有意义。本项目结合物理气相沉积制备AlN晶体的制作工艺,搭建Arduino平台与PLC的通讯,研发一套用于氮化铝晶体制备的智能控制系统,通过数据传输在控制终端上实时监测实验状态,记录实验过程的数据参数,并能根据实验情况对实验进行参数调整和发送相关指令,另外制作了一套相应的实验保护措施确保实验安全。因此改变了传统的必须有人在晶体炉旁做实验记录和负责安全的状态,提高了实验效率。该套系统也能用于工业上的自动化控制,实现无人操作。对于其他材料的生长和镀膜等实验具有借鉴意义和参考价值。

成果单位:深圳大学光电工程学院                 成果负责人:郑瑞生 武红磊

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